[发明专利]一种超微阵列电极的制备方法有效
| 申请号： | 201210384966.0 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102890108A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 董绍俊;余登斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵;李玉秋 |
| 地址： | 130022 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超微阵列电极的制备方法，包括以下步骤：将电极材料插进玻璃毛细管中，得到第一玻璃毛细管；将多根所述第一玻璃毛细管，插进玻璃管中，所述第一玻璃毛细管与所述玻璃管之间的空隙采用玻璃制品填充，得到第一玻璃管；将所述第一玻璃管灌装导电介质，连接导线，将连接导线后的第一玻璃管密封，得到超微阵列电极。在上述制备超微阵列电极的过程中，由于只采用了两种材料：玻璃和电极材料，且上述两种材料的热膨胀系数相近，因此不易造成玻璃和电极材料的脱离，避免了电极材料、玻璃毛细管和玻璃管之间产生缝隙，从而在测试过程中不会造成测试溶液进入缝隙，使电极具有较高的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超微阵列电极的制备方法，包括以下步骤：将电极材料插进玻璃毛细管中，得到第一玻璃毛细管；将多根所述第一玻璃毛细管，插进玻璃管中，所述第一玻璃毛细管与所述玻璃管之间的空隙采用玻璃制品填充，得到第一玻璃管；将所述第一玻璃管灌装导电介质，连接导线，将连接导线后的第一玻璃管密封，得到超微阵列电极。
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