[发明专利]一种超微阵列电极的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210384966.0 申请日: 2012-10-11
公开(公告)号: CN102890108A 公开(公告)日: 2013-01-23
发明(设计)人: 董绍俊;余登斌 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵青朵;李玉秋
地址: 130022 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 电极 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种超微阵列电极的制备方法,包括以下步骤:

将电极材料插进玻璃毛细管中,得到第一玻璃毛细管;

将多根所述第一玻璃毛细管,插进玻璃管中,所述第一玻璃毛细管与所述玻璃管之间的空隙采用玻璃制品填充,得到第一玻璃管;

将所述第一玻璃管灌装导电介质,连接导线,将连接导线后的第一玻璃管密封,得到超微阵列电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述电极材料为纤维状的。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述电极材料为金、钯、铜、铂、铱、镍和铁中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述玻璃毛细管的管壁厚为所述电极材料直径的3倍以上。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述玻璃制品为玻璃棒或玻璃粉。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述导电介质为石墨粉、银粉或导电胶。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,将电极材料插进玻璃毛细管之后,还包括:

将插进电极材料的玻璃毛细管的一端封端。

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