[发明专利]一种固态成像探测器

摘要

一种固态成像探测器，探测器每个单元的构成是：在基底P型半导体硅材料1上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区域，分别构成探测器的两个漏区2，在基底P型半导体硅材料上方的中央设有重掺杂的N型半导体区域，构成探测器的源区3。两个漏区和共用源区之间基底的正上方依次分别设有隧穿氧化层4、光电子存储层5、阻挡绝缘介质层6和控制栅极7，控制栅极的上方覆盖有光阻挡层8。探测器的两个漏区和共用的源区之间分别形成两个MOSFET结构的存储管。探测器的源区和漏区的大小不对称，漏区2面积较小，且漏区表面被金属硅化物所覆盖9，防止光照入漏区。探测器的源区3面积较大，为探测器的光电转换区。探测器的源区采用N+注入形成的埋层构成，源区半导体表面没有被金属硅化物所覆盖。从控制栅极往下到基底层没有对探测光波透明的或半透明的窗口，而在源区的上方设有对光波透明的或半透明的窗口。

主权项

一种固态成像探测器，其特征是该探测器是一种共用源区的双MOSFET存储器结构的成像探测器，探测器单元的构成是：在基底P型半导体硅材料（1）上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区域，分别构成探测器的两个漏区（2），基底P型半导体硅材料（1）上方的中央设有重掺杂的N型半导体区域，构成探测器的源区（3），上述两个漏区和共用的源区之间基底的正上方依次分别设有隧穿氧化层（4）、光电子存储层（5）、阻挡绝缘介质层（6）和控制栅极（7），控制栅极的上方覆盖有光阻挡层（8）；探测器的源区和漏区的大小不对称，漏区（2）面积相对源区较小，且漏区表面被金属硅化物所覆盖（9），防止光照入漏区；探测器的源区（3）面积较大，为探测器的光电转换区；探测器的源区采用N+注入形成的埋层构成，源区半导体表面没有被金属硅化物所覆盖；探测器的两个漏区和共用的源区之间分别形成两个MOSFET结构的存储管；从控制栅极往下到基底层没有对探测光波透明的或半透明的窗口，而在源区的上方设有对光波透明的或半透明的窗口。