[发明专利]蚀刻方法及蚀刻装置有效

专利信息
申请号: 201210382207.0 申请日: 2012-10-10
公开(公告)号: CN103046049A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 秋山政宪;松尾达彦 申请(专利权)人: 开美科技股份有限公司
主分类号: C23F1/08 分类号: C23F1/08;H05K3/06
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种蚀刻方法,具备:第1蚀刻工序,将蚀刻液从一流体喷嘴(20)喷射而喷附于蚀刻对象物(1)的蚀刻对象面,从而将蚀刻对象面蚀刻;以及第2蚀刻工序,将蚀刻液与气体混合后从二流体喷嘴(30)喷射,将蚀刻液喷附于在第1蚀刻工序中被蚀刻后的蚀刻对象面,从而将蚀刻对象面进一步蚀刻。在第2蚀刻工序中,将与第1蚀刻工序相比液滴微小的蚀刻液以比第1蚀刻工序强的冲击力喷附于蚀刻对象面。
搜索关键词: 蚀刻 方法 装置
【主权项】:
一种蚀刻方法,其特征在于,具备以下工序:第1蚀刻工序,将蚀刻液从一流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于蚀刻对象物的蚀刻对象面,从而将上述蚀刻对象面蚀刻;以及第2蚀刻工序,将蚀刻液与气体混合后从二流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于在上述第1蚀刻工序中被蚀刻后的上述蚀刻对象面,从而将上述蚀刻对象面进一步蚀刻;在上述第2蚀刻工序中,将与上述第1蚀刻工序相比液滴微小的蚀刻液以比上述第1蚀刻工序强的冲击力喷附于上述蚀刻对象面。
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