[发明专利]蚀刻方法及蚀刻装置有效
申请号: | 201210382207.0 | 申请日: | 2012-10-10 |
公开(公告)号: | CN103046049A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 秋山政宪;松尾达彦 | 申请(专利权)人: | 开美科技股份有限公司 |
主分类号: | C23F1/08 | 分类号: | C23F1/08;H05K3/06 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 方法 装置 | ||
1.一种蚀刻方法,其特征在于,
具备以下工序:
第1蚀刻工序,将蚀刻液从一流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于蚀刻对象物的蚀刻对象面,从而将上述蚀刻对象面蚀刻;以及
第2蚀刻工序,将蚀刻液与气体混合后从二流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于在上述第1蚀刻工序中被蚀刻后的上述蚀刻对象面,从而将上述蚀刻对象面进一步蚀刻;
在上述第2蚀刻工序中,将与上述第1蚀刻工序相比液滴微小的蚀刻液以比上述第1蚀刻工序强的冲击力喷附于上述蚀刻对象面。
2.如权利要求1所述的蚀刻方法,其特征在于,
上述蚀刻对象面是上述蚀刻对象物的上表面;
上述第1蚀刻工序包括将从上述一流体喷嘴喷附于上述蚀刻对象面的蚀刻液吸引并除去的第1吸引工序;
上述第2蚀刻工序包括将从上述二流体喷嘴喷附于上述蚀刻对象面的蚀刻液吸引并除去的第2吸引工序。
3.如权利要求2所述的蚀刻方法,其特征在于,
从上述二流体喷嘴向上述蚀刻对象面的蚀刻液的喷附量相对于从上述一流体喷嘴及上述二流体喷嘴向上述蚀刻对象面的蚀刻液的总喷附量的比例是2%以上50%以下。
4.一种蚀刻装置,其特征在于,
具备:
输送机构,沿着依次通过第1蚀刻处理部和第2蚀刻处理部的规定的输送路径输送蚀刻对象物;
一流体喷嘴,配置于上述第1蚀刻处理部,将蚀刻液喷射而使其喷附于由上述输送机构输送的蚀刻对象物的蚀刻对象面;以及
二流体喷嘴,配置于上述第2蚀刻处理部,将蚀刻液与气体混合喷射而使其喷附于由上述输送机构从上述第1蚀刻处理部输送的蚀刻对象物的上述蚀刻对象面;
上述二流体喷嘴将与上述一流体喷嘴相比液滴微小的蚀刻液以比上述一流体喷嘴强的冲击力喷附于上述蚀刻对象面。
5.如权利要求4所述的蚀刻装置,其特征在于,
具备对上述第1蚀刻处理部和上述第2蚀刻处理部双方所配置的吸引机构;
上述输送机构以上述蚀刻对象面朝向上方的状态将上述蚀刻对象物沿大致水平方向输送;
上述吸引机构将从上述一流体喷嘴和上述二流体喷嘴分别喷附于上述蚀刻对象面的蚀刻液吸引并除去。
6.如权利要求5所述的蚀刻装置,其特征在于,
从上述二流体喷嘴向上述蚀刻对象面的蚀刻液的喷附量相对于从上述一流体喷嘴及上述二流体喷嘴向上述蚀刻对象面的蚀刻液的总喷附量的比例是2%以上50%以下。
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