[发明专利]蚀刻方法及蚀刻装置

说明书

技术领域

本发明涉及蚀刻方法及蚀刻装置，特别涉及在制造印刷布线板的工序中、将基板上的被加工导电层进行图案蚀刻（pattern etching）而图案形成布线部的蚀刻方法及蚀刻装置。

背景技术

作为在安装有半导体等部件的印刷布线板（基板）的表面形成微细的图案的布线部的蚀刻方法，广泛地使用从一流体喷嘴向基板上喷射蚀刻液的方法。在铜箔上预先图案形成作为掩模层的抗蚀剂膜，使蚀刻液与没有被抗蚀剂膜保护的铜箔接触，从而将铜箔进行图案加工。

但是，在使用一流体喷嘴的方法中，蚀刻液滴的粒径大，例如在邻接的布线部间的间隔为50μm以下的微细化的布线图案的加工中，蚀刻液滴不能将被蚀刻层上的抗蚀剂膜的图案内蚀刻，难以使E/F（蚀刻系数etch factor）提高。

作为消除这样的不良状况的方法，提出了使用将蚀刻液与压缩空气混合喷射的二流体喷嘴的方法。通过使用二流体喷嘴，与一流体喷嘴相比，能够实现蚀刻液的微小液滴化，喷射速度也变大。例如在微细化为50μm以下的图案的蚀刻中，也能够将蚀刻液的微小液滴以高速向图案内压入而使E/F提高。

专利文献1：日本特开2002－256458号公报

专利文献1：日本特开2010－287881号公报

但是，在使用二流体喷嘴的方法中，由于消耗大量的压缩空气，所以导致设备的大型化及成本的上升。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种在将压缩空气的消耗量抑制为最小限度的同时、能够得到适当的E/F的蚀刻方法及蚀刻装置。

为了达到上述目的，本发明的第1技术方案的蚀刻方法，具备以下工序：第1蚀刻工序，将蚀刻液从一流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于蚀刻对象物的蚀刻对象面，从而将蚀刻对象面蚀刻；以及第2蚀刻工序，将蚀刻液与气体混合后从二流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于在上述第1蚀刻工序中被蚀刻后的蚀刻对象面，从而将蚀刻对象面进一步蚀刻；在第2蚀刻工序中，将与第1蚀刻工序相比液滴微小的蚀刻液以比第1蚀刻工序强的冲击力喷附于蚀刻对象面。

本发明的第1技术方案的蚀刻装置具备输送机构、一流体喷嘴和二流体喷嘴。输送机构沿着依次通过第1蚀刻处理部和第2蚀刻处理部的规定的输送路径输送蚀刻对象物；一流体喷嘴配置于第1蚀刻处理部，将蚀刻液喷射并使其喷附于由输送机构输送的蚀刻对象物的蚀刻对象面；二流体喷嘴配置于第2蚀刻处理部，将蚀刻液与气体混合喷射并使其喷附于由输送机构从第1蚀刻处理部输送的蚀刻对象物的蚀刻对象面；二流体喷嘴将与一流体喷嘴相比液滴微小的蚀刻液以比一流体喷嘴强的冲击力喷附于蚀刻对象面。

在上述方法及装置中，在被蚀刻层的表面侧，首先进行来自一流体喷嘴的基于较大液滴的蚀刻液的粗略的蚀刻处理。接着，进行来自二流体喷嘴的基于微小液滴的蚀刻液的细致的蚀刻处理，即使是微细化的布线图案的加工，也能够将蚀刻液滴压入到被蚀刻层上的抗蚀剂膜的图案内。这样，由于不是对全部的蚀刻处理使用二流体喷嘴而是有效地并用一流体喷嘴和二流体喷嘴，所以能够在将压缩空气的消耗量抑制为最小限度的同时得到适当的E/F。另外，所谓E/F，是蚀刻深度（被蚀刻层的厚度）相对于被蚀刻层的横向的蚀刻量（底切量）的比率，数值越大越优选。

本发明的第2技术方案的蚀刻方法，在上述第1技术方案的蚀刻方法中，蚀刻对象面是蚀刻对象物的上表面；第1蚀刻工序包括将从一流体喷嘴喷附于蚀刻对象面的蚀刻液吸引并除去的第1吸引工序；第2蚀刻工序包括将从二流体喷嘴喷附于蚀刻对象面的蚀刻液吸引并除去的第2吸引工序。

本发明的第2技术方案的蚀刻装置，在上述第1技术方案的蚀刻装置中，具备对第1蚀刻处理部和第2蚀刻处理部双方所配置的吸引机构；输送机构以蚀刻对象面朝向上方的状态将蚀刻对象物沿大致水平方向输送；吸引机构将从一流体喷嘴和二流体喷嘴分别喷附于蚀刻对象面的蚀刻液吸引并除去。

在上述方法及装置中，将从一流体喷嘴及二流体喷嘴喷附的蚀刻液从蚀刻对象面早期地除去。因此，能够将能对蚀刻液喷附成为障碍的蚀刻液滞留的发生防范于未然，能够进行面内均匀性高的蚀刻。

此外，在上述第2技术方案的蚀刻方法及蚀刻装置中，优选的是，从二流体喷嘴向蚀刻对象面的蚀刻液的喷附量相对于从一流体喷嘴及二流体喷嘴向蚀刻对象面的蚀刻液的总喷附量的比例是2%以上50%以下。

发明效果

根据本发明，能够在将压缩空气的消耗量抑制为最小限度的同时得到适当的E/F。

附图说明

图1是示意地表示本发明的一实施方式的蚀刻装置的概略结构图。