[发明专利]一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201210381515.1 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102856374A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;张金城;贺致远;张佰君 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275 广东省广州市新港*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制作方法。本发明的器件包括栅极、源极、漏极、绝缘介质层和衬底，所述衬底上由下往上依次设有应力缓冲层、第一GaN层和选择生长层，所述选择生长层包括第二GaN层和其上的异质层；所述选择生长层中部具有贯通的凹槽沟道，在凹槽沟道底面覆盖有p型GaN层，所述p型GaN层的厚度小于等于第二GaN层的厚度；异质层上表面的两侧位置覆盖有欧姆接触金属分别形成源极和漏极，绝缘介质层覆盖于器件的上表面除源极和漏极位置外的区域，栅极覆盖于绝缘介质层上的凹槽沟道处。本发明制作工艺简单，器件稳定性高，同时提高了器件的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 增强 mis hfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN增强型MIS‑HFET器件，包括栅极、源极、漏极、绝缘介质层和衬底（1），其特征在于，所述衬底上由下往上依次设有应力缓冲层（2）、第一GaN层（3）和选择生长层，所述选择生长层包括第二GaN层（7）和其上的异质层（8）；所述选择生长层中部具有贯通的凹槽沟道，在凹槽沟道底面覆盖有p型GaN层（6），所述p型GaN层（6）的厚度小于等于第二GaN层（7）的厚度；异质层（8）上表面的两侧位置覆盖有欧姆接触金属分别形成源极和漏极，绝缘介质层（10）覆盖于器件的上表面除源极和漏极位置外的区域，栅极覆盖于绝缘介质层上的凹槽沟道处。
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