[发明专利]利用X射线衍射对晶体进行测试的方法有效

专利信息
申请号: 201210379597.6 申请日: 2012-09-29
公开(公告)号: CN102879411A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 吴志猛;孙超;魏郝然;王伟明;宋红 申请(专利权)人: 国电科技环保集团股份有限公司
主分类号: G01N23/20 分类号: G01N23/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 杨娟奕
地址: 100039 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种利用X射线衍射对晶体进行测试的方法,所述晶体包括单晶衬底、在单晶衬底上生长的至少一层晶格失配材料。所述方法先扫描出样品的倒易空间图,根据倒易空间图,计算出ω轴与2θ轴之间的运动速度比1∶n;然后对测试样品采用ω轴与2θ轴以1∶n的速度比联动的方式进行扫描,根据得到的扫描曲线,计算所述至少一层晶格失配材料的晶面间距。本方法与RSM相比,可以快速测量晶格失配材料的晶格常数,可以将速度提高20倍,而测量精度与RSM接近。
搜索关键词: 利用 射线 衍射 晶体 进行 测试 方法
【主权项】:
一种利用X射线衍射对晶体进行测试的方法,所述晶体包括单晶衬底、在单晶衬底上生长的至少一层晶格失配材料,所述方法包括以下步骤:a)对于同批次生产的多个同种晶体样品进行测试时,对首个样品进行倒易空间图RSM扫描,根据扫描得到的RSM图,计算ω轴与2θ轴之间的运动速度比1∶n;b)对于其余每个样品,采用ω轴与2θ轴以1∶n的速度比联动的方式进行扫描,根据得到的扫描曲线,计算所述至少一层晶格失配材料的晶面间距。
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