[发明专利]GaAs体系四结太阳能电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种GaAs体系四结太阳能电池的制备方法，其特点是：采用MOCVD在Ge衬底上面依次生长第一结Ge电池、成核层、缓冲层、第一隧道结、第二结GaInAs电池、第二隧道结、第三结AlxGa1-xAs电池、第三隧道结、第四结GaInP2电池和GaAs帽层。本发明由于采用了与Ge衬底晶格完全匹配的GaInP2/AlxGa1-xAs/GaInAs/Ge各子电池材料及制作过程，有效提高了太阳电池的效率；开路电压提高到4V，实现了高电压低电流特性；电池器件制作工艺能够与GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池完全兼容，简化了制备工艺，降低了制作成本，在可行性方面非常容易实现。

主权项

GaAs体系四结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下制备过程：采用金属有机化学气相沉积技术在Ge衬底上面依次生长第一结Ge电池、成核层、缓冲层、第一隧道结、第二结GaInAs电池、第二隧道结、第三结AlxGa1‑xAs电池、第三隧道结、第四结GaInP2电池和GaAs帽层，即完成本发明GaInP/AlxGa1‑xAs/GaInAs/Ge四结太阳能电池的制作。