[发明专利]静电放电保护装置及电路有效
| 申请号： | 201210371351.4 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103427407A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 陈伟梵 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L27/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郝新慧;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开静电放电保护装置及电路，包括一P型基板；一N型阱区形成于P型基板上；至少一P型掺杂区形成于N型阱区上，其中该至少一P型掺杂区与一受保护的电路的一输入/输出端电性连接；一第一N型掺杂区，形成于P型基板上，其中该第一N型掺杂区与一第一节点电性连接，且该至少一P型掺杂区、该N型阱区、该P型基板、以及该第一N型掺杂区构成一硅控整流器。以及一第二N型掺杂区，形成于该N型阱区上并与一第二节点电性连接，其中部分该至少一P型掺杂区以及该第二N型掺杂区形成一放电路径，当一静电放电事件发生于该输入/输出端时，该硅控整流器与该放电路径将静电电荷分别旁路至该第一节点与该第二节点。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 电路 | ||
【主权项】：
一种静电放电保护装置，包括：一P型基板；一N型阱区，形成于该P型基板上；至少一P型掺杂区，形成于该N型阱区上，其中该至少一P型掺杂区与一受保护的电路的一输入/输出端电性连接；一第一N型掺杂区，形成于该P型基板上，其中该第一N型掺杂区与一第一节点电性连接，且该至少一P型掺杂区、该N型阱区、该P型基板，以及该第一N型掺杂区构成一硅控整流器；以及一第二N型掺杂区，形成于该N型阱区上并与一第二节点电性连接，其中部分该至少一P型掺杂区以及该第二N型掺杂区形成一放电路径，当一静电放电事件发生于该输入/输出端时，该硅控整流器与该放电路径将静电电荷分别导至该第一节点与该第二节点。
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