[发明专利]一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法无效
| 申请号： | 201210369967.8 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103713284A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 闫华;董纯柱;王超 | 申请（专利权）人： | 中国航天科工集团第二研究院二O七所 |
| 主分类号： | G01S13/06 | 分类号： | G01S13/06;G01S7/40 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 罗立冬 |
| 地址： | 100854*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于信号特征控制技术领域，具体涉及一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法。该计算方法通过射线追踪和物理光学进行热点计算，获得能给出目标表面每个面元的RCS贡献的分布图，通过比较热点图定位强散射部位。该方法与低频法相比，采用SBR和PO方法计算目标热点具有较高的效率；热点贡献附在目标三维模型表面上，可直观的分析强散射贡献部位。并且该方法可追踪分离的二次、三次强耦合结构。目标上分离的部位的耦合产生的强多次散射，常常不容易发现，通过热点图可将这些隐含的强散射结构找出来。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sbr po 技术 散射 中心 计算方法 | ||
【主权项】：
一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法，通过射线追踪和物理光学进行热点计算，获得能给出目标表面每个面元的RCS贡献的分布图，通过比较热点图定位强散射部位。
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