[发明专利]一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法

权利要求书

1.一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法，通过射线追踪和物理光学进行热点计算，获得能给出目标表面每个面元的RCS贡献的分布图，通过比较热点图定位强散射部位。

2.根据权利要求1所述的一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法，其特征在于：具体可分为如下步骤：

步骤S1：建立目标的三角面元模型；

步骤S2：计算一次、二次、三次散射的热点图；

步骤S3：确定强散射部位。

3.根据权利要求2所述的一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法，其特征在于：所述步骤步骤S1中，在已知目标几何模型的情况下，进行网格剖分，获得导体目标的三角表面元模型。

4.根据权利要求3所述的一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法，其特征在于：所述步骤S2中，对于一次散射贡献，采用Gordon公式获得，对于二次和三次散射贡献采用几何光学加物理光学的方法，即在多次散射中，除了最后一次用物理光学方法来计算，前几次的散射采用几何光学来计算。

5.根据权利要求4所述的一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法，其特征在于：所述步骤S3中，首先选择一个阈值，当热点图中存在的亮点超过阈值，则确定该亮点为强散射中心；通过已确定的强散射中心的位置获得目标表面引起强散射的部位；再通过对三次散射热点图、二次散射热点图、一次散射热点图之间的比较确定强散射中心的机理类型。

6.根据权利要求5所述的一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法，其特征在于：所述步骤S2中，在计算二次和三次散射贡献时，边缘贡献采用等效边缘电流法来计算，中间反射利用Snell公式来追踪射线的路径；在获得每个面元的一次、二次、三次散射贡献后，利用OpenGL将其数值用颜色表示在目标模型表面所对应的三角面元上表示目标表面不同部位对总散射的贡献程度。