[发明专利]具有高稳定性的能隙基准电流电路结构有效

专利信息
申请号: 201210369275.3 申请日: 2012-09-27
公开(公告)号: CN103699171A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 袁巍;黄历朝;刘冰;张勤 申请(专利权)人: 无锡华润矽科微电子有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 214000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种具有高稳定性的能隙基准电流电路结构,所述的电路结构包括组成镜像恒流源的第一NPN三极管和第二NPN三极管,第一NPN三极管和第二NPN三极管的集电极电阻Rc的阻值为集电极与基极间阻值Rcb的90至110倍,从而在电路基本结构及工艺条件不变的前提下,有效降低了NPN三极管的集电极电阻Rc,从而能够减小NPN三极管饱和压降的影响,进而保证能隙基准电流的稳定性,且本发明的具有高稳定性的能隙基准电流电路结构简单,实现成本低廉,应用范围也较为广泛。
搜索关键词: 具有 稳定性 基准 电流 电路 结构
【主权项】:
一种具有高稳定性的能隙基准电流电路结构,所述的电路结构包括组成镜像恒流源的第一NPN三极管(Q1)和第二NPN三极管(Q2),所述的第一NPN三极管(Q1)和第二NPN三极管(Q2)为相同的三极管元件,所述的第一NPN三极管(Q1)的基极连接所述的第二NPN三极管(Q2)的基极,所述的第一NPN三极管(Q1)的基极还连接第一NPN三极管(Q1)的集电极,所述的第一NPN三极管(Q1)的集电极连接电源,所述的第一NPN三极管(Q1)和第二NPN三极管(Q2)的发射极均接地,所述的第二NPN三极管(Q2)的集电极为恒流源输出端,其特征在于,所述的第一NPN三极管(Q1)和第二NPN三极管(Q2)的集电极电阻(Rc)的阻值为集电极与基极间阻值(Rcb)的90至110倍。
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