[发明专利]一种去除SixNy残留物的处理方法无效
| 申请号： | 201210369039.1 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103021841A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王虎 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种去除SixNy残留物的处理方法，具体步骤如下：（1）将氢氧化钠、H2O2水溶液加热升温；（2）将硅片放入上述溶液中浸泡；（3）水洗；（4）将水中浸泡的硅片慢慢提拉，然后烘干即可。本发明能够处理氢氟酸溶液不能完全去除SixNy膜的异常片，对其进行处理后可重新制绒，工艺简单，无需增加额外的设备，对硅片性能无影响，提高生产线的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 sixny 残留物 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种去除SixNy残留物的处理方法，其特征在于：具体步骤如下：（1）将质量百分比为1%‑1.2%的氢氧化钠NaOH、体积比3.0%‑3.6% H2O2溶液混合，加热升温到63℃‑67℃；（2）将硅片放入上述溶液中浸泡3 min‑4min；（3）将浸泡后的硅片放入在水中浸泡40s‑60s；（4）将水中浸泡的硅片慢慢提拉，硅片慢提拉速度用时间评估，时间为20‑40s，然后烘干即可。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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