[发明专利]含氧化锆颗粒与氮化硅晶须的碳化钨复合材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201210365334.X 申请日: 2012-09-27
公开(公告)号: CN102863218A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 李元元;郑东海;李小强;杨超;屈盛官 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C04B35/56 分类号: C04B35/56;C04B35/81;C04B35/64
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 盛佩珍
地址: 510641 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种含氧化锆颗粒与氮化硅晶须的碳化钨复合材料及制备方法,该碳化钨复合材料按下述质量百分比配比原料粉末:WC 60~94%,3Y-ZrO21~20%,α-Si3N4 4.6~17.6%,Y2O3 0.1~1.2%,Al2O3 0.1~1.2%,其中Y2O3+Al2O3≥0.4%;将上述原料粉末置于醇类溶剂或水中进行湿式低能球磨,制得混合浆料,然后烘干、碾碎、过筛,最后采用放电等离子烧结技术进行成型和烧结。本发明制备的WC复合材料不含任何金属粘结相,具有优良的硬度、耐磨性和高温力学性能,以及中等的韧性;该材料制备成本低,应用范围广,可用于刀具、塑性加工工具、剪切工具等。
搜索关键词: 氧化锆 颗粒 氮化 硅晶须 碳化 复合材料 制备 方法
【主权项】:
含氧化锆颗粒与氮化硅晶须的碳化钨复合材料,其特征在于:所述碳化钨复合材料含氧化锆颗粒、氮化硅晶须、氧化钇与氧化铝添加剂,其余为碳化钨以及不可避免的杂质相;所述氧化锆颗粒的质量百分比为1~20%;所述氮化硅晶须为原位自生β‑Si3N4晶须,其质量百分比为3.7~17.6%;所述氧化钇添加剂的质量百分比为0.1~1.2%;所述氧化铝添加剂的质量百分比为0.1~1.2%。
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