[发明专利]激光退火装置及激光退火方法有效
申请号: | 201210364083.3 | 申请日: | 2012-09-26 |
公开(公告)号: | CN103021826A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 若林直木;万雅史 | 申请(专利权)人: | 住友重机械工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/06 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭;郝传鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种激光退火装置及激光退火方法。一般的脉冲波形从振荡开始时刻开始急剧上升,显示出峰值后缓慢降低。在功率显示峰值的时刻,退火对象物的表面被急剧加热而成为高温。由于显示峰值的时间为一瞬间,因此很难对退火对象物的较深区域进行充分的加热。本发明的激光退火装置,当输入脉冲电流时,从激光二极管射出激光脉冲。光学系统将从激光二极管射出的激光束导光至退火对象物。驱动器向激光二极管供给具有顶部平坦的时间波形且脉冲宽度为1μs~100μs的脉冲电流。 | ||
搜索关键词: | 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种激光退火装置,其中,具有:激光二极管,当输入脉冲电流时,射出激光脉冲;光学系统,将从所述激光二极管射出的激光束导光至退火对象物;及驱动器,向所述激光二极管供给具有顶部平坦的时间波形且脉冲宽度为1μs~100μs的脉冲电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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