[发明专利]激光退火装置及激光退火方法

权利要求书

1.一种激光退火装置，其中，具有：

激光二极管，当输入脉冲电流时，射出激光脉冲；

光学系统，将从所述激光二极管射出的激光束导光至退火对象物；及

驱动器，向所述激光二极管供给具有顶部平坦的时间波形且脉冲宽度为1μs～100μs的脉冲电流。

2.如权利要求1所述的激光退火装置，其中，

所述驱动器具有：

电容器，蓄积从电源供给的电力；及

脉冲波形整形电路，从所述电容器取出所述脉冲电流。

3.如权利要求2所述的激光退火装置，其中，

所述驱动器在向所述激光二极管供给所述脉冲电流之前，在所述电容器中蓄积比所述激光脉冲的一次输出所需的电力大的电力。

4.如权利要求1～3中任一项所述的激光退火装置，其中，

所述驱动器向所述激光二极管周期性地供给所述脉冲电流，且在未供给所述脉冲电流期间，预先向所述激光二极管供给所述脉冲电流的最大电流值的10%以下大小的电流。

5.如权利要求1～4中任一项所述的激光退火装置，其中，

所述脉冲电流的时间波形的顶部平坦部分的时间宽度长于上升时间及下降时间中较短的一方。

6.如权利要求1～5中任一项所述的激光退火装置，其中，

所述光学系统包含均化器，所述均化器使所述退火对象物表面上的射束截面成为长条形状，并且使与所述射束截面的长边方向及宽度方向相关的光强度分布成为顶部平坦形状。

7.一种激光退火方法，其中，包括：

掺杂剂注入工序，向硅晶片的与第1表面相反的一侧的第2表面，离子注入掺杂剂，其中，所述硅晶片的所述第1表面上形成有含有杂质扩散区域的元件结构；及

掺杂剂活性化工序，在注入所述掺杂剂后，以所述硅晶片的表面上的功率密度为250kW/cm²～750kW/cm²的条件，向所述硅晶片的所述第2表面照射波长690nm～950nm、脉冲宽度10μs～100μs、时间波形为顶部平坦的脉冲激光束，使所述掺杂剂活性化。