[发明专利]一种生物芯片中硅纳米线阵列的制造方法有效
| 申请号： | 201210353110.7 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102890150A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 朱建军 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/48 | 分类号： | G01N33/48 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种生物芯片中硅纳米线阵列的制造方法，其包括如下步骤：在半导体衬底上通过湿氧氧化的方法生长二氧化硅层；在二氧化硅层上生长多晶硅层；在多晶硅层上低温生长低温氧化层；对多晶硅层及低温氧化层进行光刻及刻蚀形成硅纳米线阵列图形，其中，硅纳米线阵列图形由硅纳米线组成；在硅纳米线上再生长一层氮化硅层；对氮化硅层进行整片刻蚀以在硅纳米线两侧形成氮化硅侧壁；通过湿法刻蚀方法去除低温氧化层；通过湿法刻蚀方法去除氮化硅侧壁。因此，本发明可以在制作所有尺寸大小的硅纳米线，均不用考虑硅纳米线的底部在去除LTO层时由于被侵蚀而产生容易倒塌的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生物芯片 纳米 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种生物芯片中硅纳米线阵列的制造方法，其特征在于，包括：步骤S11：在半导体衬底上生长二氧化硅层；步骤S12：在所述的二氧化硅层上生长多晶硅层；步骤S13：在所述的多晶硅层上低温生长低温氧化层；步骤S14：对所述的低温氧化层及多晶硅层进行光刻、刻蚀形成硅纳米线阵列图形，其中，所述硅纳米线阵列图形由硅纳米线组成；步骤S15：在所述硅纳米线表面再生长一层氮化硅层；对所述氮化硅层进行刻蚀，以在所述硅纳米线两侧形成氮化硅侧壁；步骤S16：通过湿法刻蚀方法去除所述低温氧化层；步骤S17：通过刻蚀方法去除所述氮化硅侧壁。
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