[发明专利]一种生物芯片中硅纳米线阵列的制造方法有效
| 申请号： | 201210353110.7 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102890150A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 朱建军 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/48 | 分类号： | G01N33/48 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生物芯片 纳米 阵列 制造 方法 | ||
1.一种生物芯片中硅纳米线阵列的制造方法，其特征在于，包括：
步骤S11：在半导体衬底上生长二氧化硅层；
步骤S12：在所述的二氧化硅层上生长多晶硅层；
步骤S13：在所述的多晶硅层上低温生长低温氧化层；
步骤S14：对所述的低温氧化层及多晶硅层进行光刻、刻蚀形成硅纳米线阵列图形，其中，所述硅纳米线阵列图形由硅纳米线组成；
步骤S15：在所述硅纳米线表面再生长一层氮化硅层；对所述氮化硅层进行刻蚀，以在所述硅纳米线两侧形成氮化硅侧壁；
步骤S16：通过湿法刻蚀方法去除所述低温氧化层；
步骤S17：通过刻蚀方法去除所述氮化硅侧壁。
2.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制造方法，其特征在于，在所述步骤S15中的氮化硅层厚度为50 ?~150 ?。
3.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制造方法，其特征在于，在所述步骤S15中对氮化硅进行整片刻蚀是采用干法刻蚀工艺完成的。
4.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制造方法，其特征在于，在所述步骤S16中的湿法刻蚀方法为以氢氟酸为反应液的湿法刻蚀方法。
5.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制造方法，其特征在于，在所述步骤S17中的刻蚀方法为以热磷酸为反应液的湿法刻蚀方法。
6.根据权利要求5所述的硅纳米线阵列的制造方法，其特征在于，所述热磷酸的反应温度为150~200度。
7.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制造方法，其特征在于，在所述步骤S11中生长出的所述二氧化硅层的厚度为1000 ?~3000 ?。
8.根据权利要求1或7所述的硅纳米线阵列的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅层是采用通过湿氧氧化的方法生成。
9.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制造方法，其特征在于，在所述步骤S12中生长的所述多晶硅层的厚度为100 ?~1000 ?。
10.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列的制造方法，其特征在于，在所述步骤S13中生长出的所述低温氧化层的厚度为150 ?~500 ?。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210353110.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
