[发明专利]SiC晶片的退火方法无效
| 申请号： | 201210352690.8 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102817083A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 储耀卿;徐家跃 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术学院 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根;王晶 |
| 地址： | 200235 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC晶片的退火方法，首先将SiC晶片装入陶瓷工装中，陶瓷工装置于陶瓷坩埚内，陶瓷工装和陶瓷坩埚中间用SiC粉填满；直接升温至低温度区域200℃~400℃，保温3~6小时，此阶段升温时间≥1.5小时；保温后，升温至中温区域500℃~700℃,保温5~10小时，此阶段升温时间≥2.5小时；经过中温保温后，升温至高温区域800℃~1900℃，保温10~20小时，此阶段升温时间≥10小时；高温保温结束后，以每小时10℃~15℃降温至室温，出炉。采用该方法退火的晶片加工应力基本消除，整个晶片退火均匀，降低由于晶体加工产生的加工应力引起的晶片翘曲和弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | sic 晶片 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC晶片的退火方法，其特征在于，具体步骤是：（1）将SiC晶片装入陶瓷工装中，陶瓷工装置于陶瓷坩埚内，陶瓷工装和陶瓷坩埚中间用SiC粉填满；（2）直接升温至低温度区域200℃~400℃，保温3~6小时，此阶段升温时间≥1.5小时；（3）经过低温保温一段时间后，升温至中温区域500℃~700℃,保温5~10小时，此阶段升温时间≥2.5小时；（4）经过中温保温一段时间后，升温至高温区域800℃~1900℃，保温10~20小时，此阶段升温时间≥10小时；（5）高温保温结束后，以每小时10℃~15℃降温至室温，出炉。
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