[发明专利]SiC晶片的退火方法无效
| 申请号： | 201210352690.8 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102817083A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 储耀卿;徐家跃 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术学院 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根;王晶 |
| 地址： | 200235 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 晶片 退火 方法 | ||
1.一种SiC晶片的退火方法，其特征在于，具体步骤是：
（1）将SiC晶片装入陶瓷工装中，陶瓷工装置于陶瓷坩埚内，陶瓷工装和陶瓷坩埚中间用SiC粉填满；
（2）直接升温至低温度区域200℃~400℃，保温3~6小时，此阶段升温时间≥1.5小时；
（3）经过低温保温一段时间后，升温至中温区域500℃~700℃,保温5~10小时，此阶段升温时间≥2.5小时；
（4）经过中温保温一段时间后，升温至高温区域800℃~1900℃，保温10~20小时，此阶段升温时间≥10小时；
（5）高温保温结束后，以每小时10℃~15℃降温至室温，出炉。
2.根据权利要求1所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC晶片为切割片、双面研磨片、单面研磨片、抛光片和衬底片中的任一种。
3.根据权利要求1所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC晶片为导电型或半绝缘型。
4.根据权利要求1所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC晶片晶型为4H、6H、3C和15R中的任一种。
5.根据权利要求1所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC晶片为2英寸导电型的4H-SiC晶片，上述第二至第五步骤为：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至200℃；温度保持200℃ 6个小时；低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从200℃升温至500℃；温度保持500℃ 10个小时；中温保温结束后，以0.5℃/分钟的升温速率从500℃升温至800℃；温度保持800℃20个小时；高温保温结束后，以10℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片。
6.根据权利要求1所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC晶片为2英寸导电型6H-SiC晶片，上述第二至第五步骤为：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至400℃；温度保持400℃ 3个小时；低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从400℃升温至700℃；温度保持700℃ 5个小时；中温保温结束后，以1℃/分钟的升温速率从700℃升温至1900℃；温度保持1900℃10个小时；高温保温结束后，以15℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片。
7.根据权利要求1所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC晶片为2英寸半绝缘型4H-SiC晶片，上述第二至第五步骤为：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至300℃；温度保持300℃ 4个小时；低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从300℃升温至600℃；温度保持600℃ 9个小时；中温保温结束后，以0.5℃/分钟的升温速率从600℃升温至1200℃；温度保持1000℃16个小时；高温保温结束后，以10℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片。
8.根据权利要求1所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC晶片为2英寸半绝缘型6H-SiC晶片，上述第二至第五步骤为：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至380℃；温度保持300℃ 3个小时；低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从300℃升温至700℃；温度保持700℃ 6个小时；中温保温结束后，以0.5℃/分钟的升温速率从700℃升温至1000℃；温度保持1000℃11个小时；高温保温结束后，以10℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片。
9.根据权利要求2所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC抛光片为单面抛光片或双面抛光片。
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