[发明专利]刻蚀方法

摘要

一种刻蚀方法，包括：提供批次衬底，衬底表面形成有掩膜层和具有光刻图形光刻胶层；对N-1个衬底进行刻蚀，形成刻蚀图形；测量所述N-1个衬底中任意M个衬底中刻蚀图形的线宽，根据M个衬底中刻蚀图形线宽的平均值与目标尺寸的差值确定第一刻蚀参数；测量第N个衬底表面光刻胶层上光刻图形的底部线宽，根据其与目标尺寸的差值确定第二刻蚀参数；根据第一刻蚀参数和第二刻蚀确定刻蚀第N个衬底以形成刻蚀图形所需的刻蚀条件；以第N个衬底表面光刻胶层为掩模、采用刻蚀第N个衬底所需的刻蚀条件对第N个衬底表面的掩膜层以及衬底进行刻蚀，形成刻蚀图形。本发明刻蚀方法能够精确控制刻蚀图形的尺寸和形貌，降低批次衬底上刻蚀图形的差异。

主权项

一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供批次衬底，各衬底表面由下至上依次形成有掩膜层和光刻胶层，所述光刻胶层上具有光刻图形；对N‑1个衬底及其表面的掩膜层进行刻蚀，形成刻蚀图形；测量所述N‑1个衬底中任意M个衬底中刻蚀图形的线宽，获取所述M个衬底中刻蚀图形线宽的平均值，并将其与目标尺寸进行比较，根据差值确定刻蚀第N个衬底所需的第一刻蚀参数；测量第N个衬底表面光刻胶层上光刻图形的底部线宽，并将其与目标尺寸进行比较，根据差值确定刻蚀第N个衬底所需的第二刻蚀参数；将刻蚀第N个衬底所需的第一刻蚀参数和第二刻蚀参数进行权重相加，确定对第N‑1个衬底的刻蚀条件的调整量，获取刻蚀第N个衬底以形成刻蚀图形所需的刻蚀条件；以第N个衬底表面的光刻胶层为掩模、采用刻蚀第N个衬底所需的刻蚀条件对第N个衬底及其表面的掩膜层进行刻蚀，形成刻蚀图形；其中，N为大于或者等于2的正整数，M为大于或者等于1的正整数，且M小于或者等于N。