[发明专利]一种在金属钛基底上生长的三维SnO2纳米花状材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210345503.3 申请日: 2012-09-10
公开(公告)号: CN102942215A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 肖鹏;蒙晓琴;张云怀;周明;姚建玉;李小玲;杨飞;王志峰;李晓林 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: C01G19/02 分类号: C01G19/02;B82Y40/00
代理公司: 北京瑞盟知识产权代理有限公司 11300 代理人: 赵秉森
地址: 400030*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明公开了一种在金属钛基底上生长的三维SnO2纳米花状结构材料及其制备方法,由五水四氯化锡和氢氧化钠为原料,在金属钛基底上生成的三维SnO2纳米花状材料,其中五水四氯化锡和氢氧化钠的摩尔比为1∶3~16,该纳米花状结构材料制备工艺简单,具有较大的比表面积,能简化电极的制备工艺,且对酸、碱性环境稳定,适用于染料敏化太阳能电池、光催化剂、气体传感器、电容器和锂离子电池等领域。
搜索关键词: 一种 金属 基底 生长 三维 sno sub 纳米 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种三维SnO2纳米花状结构材料,其特征在于,由五水四氯化锡和氢氧化钠为原料,在金属钛基底上生成的三维SnO2纳米花状材料,其中五水四氯化锡和氢氧化钠的摩尔比为1∶3~16。
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