[发明专利]一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图在审
| 申请号： | 201210345372.9 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103678744A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 左小珍;朱阳军;赵佳;卢烁今;田晓丽;陆江;吴振兴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图，属于半导体技术领域，该大电流IGBT版图包括元胞区、终端区、Gatebus、源极压焊点、栅极压焊点，终端区位于元胞区的周围，源极压焊点位于元胞区上，栅极压焊点位于源极压焊点中心，源极压焊点彼此之间和源极压焊点与栅极压焊点之间均有Gatebus；其中，元胞区与终端区衔接部分有一个以上不连续的Gatebus。本发明解决了原有版图设计方案中栅极开启电压分布不均的问题，保证了整个元胞区内元胞的充分开启，电流分布均匀；同时也加快了整体元胞区元胞的开启速度，提升了器件的开启速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 电压 均匀分布 电流 igbt 版图 | ||
【主权项】：
一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图，其特征在于，包括元胞区、终端区、Gatebus、源极压焊点、栅极压焊点，所述终端区位于所述元胞区的周围，所述源极压焊点位于所述元胞区上，所述栅极压焊点位于所述源极压焊点中心，所述源极压焊点彼此之间和所述源极压焊点与所述栅极压焊点之间均有所述Gatebus；所述元胞区与所述终端区衔接部分有一个以上不连续的所述Gatebus。
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