[发明专利]一种有效提高LED侧面出光的外延结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210342104.1 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102867895A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 陈立人;陈伟;刘慰华 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张汉钦 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有效提高LED侧面出光的外延结构及其制造方法，其包括采用GaN/AlGaN超晶格结构来替代普通GaN外延层，该半导体外延器件外延层由下往上依次为蓝宝石衬底、缓冲层、N型层、发光层、GaN/AlGaN超晶格和P型层，其中GaN/AlGaN超晶格紧挨着多量子阱(MQW)的最后一个量子垒。本发明的LED器件是基于ICP刻蚀对GaN与AlGaN刻蚀速度不同的原理，实现LED芯片侧面锯齿状的轮廓。该结构增加了芯片侧壁的出光面积，改变了芯片的出光角度，从而能有效提高光子从GaN/AlGaN超晶格层侧面出光的效率。本发明通过侧壁微结构工艺技术，能提高芯片的出光效率10%以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 提高 led 侧面 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有效提高LED侧面出光的外延结构，其特征在于：该结构位于生长衬底上，包括N型层、有源层、GaN/AlGaN超晶格层，以及p型层，其中，所述的GaN/AlGaN超晶格层横截面的侧面边缘具有锯齿形或波浪形的轮廓。
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