[发明专利]一种有效提高LED侧面出光的外延结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210342104.1 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102867895A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 陈立人;陈伟;刘慰华 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张汉钦 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有效 提高 led 侧面 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种有效提高LED侧面出光的外延结构，其特征在于：该结构位于生长衬底上，包括N型层、有源层、GaN/AlGaN超晶格层，以及p型层，其中，所述的GaN/AlGaN超晶格层横截面的侧面边缘具有锯齿形或波浪形的轮廓。
2.根据权利要求1所述的一种有效提高LED侧面出光的外延结构，其特征在于：所述生长衬底包括Si衬底、SiC衬底、平面或图形化蓝宝石衬底。
3.根据权利要求1所述的一种有效提高LED侧面出光的外延结构，其特征在于：所述GaN/AlGaN超晶格层的总厚度小于等于30 nm。
4.一种有效提高LED侧面出光的外延结构的制造方法，其特征在于：在磊晶过程中，依次在生长衬底上生成N型层、有源层、GaN/AlGaN超晶格层、p型层，所述的GaN/AlGaN超晶格层在相同气压、温度、气体氛围下生长生成；在ICP刻蚀过程中，调整ICP刻蚀功率和刻蚀速度以区分AlGaN和GaN层的速度，通过调节激光源的脉冲频率将所述的GaN/AlGaN超晶格层的侧面边缘划成锯齿形或波浪形的轮廓。
5.根据权利要求4所述的一种有效提高LED侧面出光的外延结构的制造方法，其特征在于：所述生长衬底包括Si衬底、SiC衬底、平面或图形化蓝宝石衬底。
6.根据权利要求4所述的一种有效提高LED侧面出光的外延结构的制造方法，其特征在于：所述GaN/AlGaN超晶格层的总厚度小于等于30 nm。
7.根据权利要求4所述的一种有效提高LED侧面出光的外延结构的制造方法，其特征在于：所述的GaN/AlGaN超晶格层中的GaN层为不掺杂层，AlGaN层Al组分为15%，以达到ICP刻蚀过程中对两层刻蚀速度不一致的要求。
8.根据权利要求7所述的一种有效提高LED侧面出光的外延结构的制造方法，其特征在于：所述AlGaN层掺有In材料以调整晶格应力。
9.根据权利要求8所述的一种有效提高LED侧面出光的外延结构的制造方法，其特征在于：所述AlGaN层中In的组分为5%-8%。
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