[发明专利]带有集成肖特基势垒二极管的沟槽MOSFET器件

摘要

本发明涉及一种带有集成肖特基势垒二极管的沟槽MOSFET器件，其中肖特基二极管包括一个形成在半导体衬底上的半导体层；形成在半导体层中的第一和第二沟槽，其中第一和第二沟槽内衬薄电介质层，并用沟槽导体层部分填充，第一电介质层填充第一和第二沟槽的剩余部分；以及一个形成在第一和第二沟槽之间的半导体层顶面上的肖特基金属层。所形成的肖特基二极管中，肖特基金属层作为阳极，第一和第二沟槽之间的半导体层作为阴极。每个第一和第二沟槽中的沟槽导体层电连接到肖特基二极管的阳极。在一个实施例中，所形成的肖特基二极管与沟槽场效应晶体管集成在同一个半导体衬底上。

主权项

一种肖特基二极管，其特征在于，包括：一个第一导电类型的半导体衬底；一个形成在半导体衬底上的第一导电类型的半导体层；形成在半导体层中的第一和第二沟槽，第一和第二沟槽内衬一个薄电介质层，并且用一沟槽导体层部分填充，第一和第二沟槽的剩余部分用第一电介质层填充；以及一个形成在第一和第二沟槽之间的半导体层顶面上的肖特基金属层，其中所述的肖特基金属层形成所述的肖特基二极管的阳极，第一和第二沟槽之间的半导体层形成所述的肖特基二极管的阴极，每个第一和第二沟槽中的沟槽导体层都电连接到所述的肖特基二极管的阳极。