[发明专利]一种场效应晶体管结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201210333874.X | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103681779A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;阮孟波;吴宗宪;孙晓儒 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种场效应晶体管的外延结构，它包括：N+衬底、形成在衬底上的N-外延层、形成在N-外延层中并且填充有P－外延层的倾斜沟槽、形成在P-外延层中的P+阱、形成在P+阱中的N+源区；以及形成在P-沟槽以外区域的N-外延层上的多晶硅栅极。其中，N-外延层的掺杂浓度从N+衬底向着远离衬底的方向是缓变的。本发明的场效应晶体管的外延结构击穿电压较高而导通电阻同时较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管的外延结构，其特征在于，它包括：N+衬底，作为所述场效应晶体管的漏极；形成在所述衬底上的N‑外延层；形成在所述N‑外延层中沟槽，并且所述沟槽中填充有P－外延层；形成在所述P‑外延层中的P+阱；形成在所述P+阱中的N+源区；以及形成在所述P‑沟槽以外区域的所述N‑外延层上的多晶硅栅极，其中，所述N‑外延层的掺杂浓度从所述N+衬底向着远离所述衬底的方向是缓变的。
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