[发明专利]具有石墨烯晶体管的低噪声放大器有效

专利信息
申请号: 201210331572.9 申请日: 2012-09-07
公开(公告)号: CN102868370A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 吕宏鸣;钱鹤;肖柯;吴华强;伍晓明 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H01L29/78
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张大威
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种具有石墨烯晶体管的低噪声放大器,包括:石墨烯晶体管,其源极接地,栅极接偏置电压相连,漏极接工作电压;连接在漏极与工作电压之间的第一电感和第一电容;连接在源极与地端之间的第二电感和第二电容;以及输出端和输入端,其中,石墨烯晶体管进一步包括:衬底;过渡层;金属走线层;层间介质层;连接线;形成在层间介质层之上的源极、漏极和栅极,其中,源极、漏极和栅极包括形成在层间介质层之上的金属接触层,源极和漏极分别通过金属接触层与连接线相连;以及形成在栅极之上的栅极介质层和形成在源极、漏极和栅极之上的沟道层,其中,沟道层为石墨烯薄膜。本发明具有低噪声和稳定可靠的优点。
搜索关键词: 具有 石墨 晶体管 低噪声放大器
【主权项】:
一种具有石墨烯晶体管的低噪声放大器,其特征在于,包括以下部分:石墨烯晶体管,所述石墨烯晶体管的源极与地端相连,栅极与偏置电压相连,漏极与工作电压相连;连接在所述漏极与所述工作电压之间的第一电感和第一电容,其中所述第一电感与所述第一电容并联;连接在所述源极与所述地端之间的第二电感和第二电容,其中所述第二电感与所述第二电容并联;位于所述漏极与所述第一电感和第一电容之间的输出端;以及位于所述源极与所述第二电感和第二电容之间的输入端,其中,所述石墨烯晶体管进一步包括:衬底;形成在所述衬底之上的过渡层;形成在所述过渡层之上的金属走线层和层间介质层,所述层间介质层填充在所述金属走线层之间;形成在所述层间介质层之上的连接线,其中,所述连接线的至少一部分与所述金属走线层相连;形成在所述层间介质层之上的源极、漏极和栅极,所述源极、漏极和栅极包括形成在所述层间介质层之上的金属接触层,其中,所述源极和漏极分别通过所述金属接触层与所述连接线相连;以及形成在所述栅极之上的栅极介质层和形成在所述源极、漏极和栅极之上的沟道层,其中,所述沟道层为石墨烯薄膜。
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