[发明专利]具有石墨烯晶体管的低噪声放大器

权利要求书

1.一种具有石墨烯晶体管的低噪声放大器，其特征在于，包括以下部分：

石墨烯晶体管，所述石墨烯晶体管的源极与地端相连，栅极与偏置电压相连，漏极与工作电压相连；

连接在所述漏极与所述工作电压之间的第一电感和第一电容，其中所述第一电感与所述第一电容并联；

连接在所述源极与所述地端之间的第二电感和第二电容，其中所述第二电感与所述第二电容并联；

位于所述漏极与所述第一电感和第一电容之间的输出端；以及

位于所述源极与所述第二电感和第二电容之间的输入端，

其中，所述石墨烯晶体管进一步包括：

衬底；

形成在所述衬底之上的过渡层；

形成在所述过渡层之上的金属走线层和层间介质层，所述层间介质层填充在所述金属走线层之间；

形成在所述层间介质层之上的连接线，其中，所述连接线的至少一部分与所述金属走线层相连；

形成在所述层间介质层之上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极包括形成在所述层间介质层之上的金属接触层，其中，所述源极和漏极分别通过所述金属接触层与所述连接线相连；以及

形成在所述栅极之上的栅极介质层和形成在所述源极、漏极和栅极之上的沟道层，其中，所述沟道层为石墨烯薄膜。

2.如权利要求1所述的具有石墨烯晶体管的低噪声放大器，其特征在于，所述过渡层为通过热氧化形成的SiO₂。

3.如权利要求1所述的具有石墨烯晶体管的低噪声放大器，其特征在于，所述层间介质层为通过沉积形成的SiO₂。

4.如权利要求1所述的具有石墨烯晶体管的低噪声放大器，其特征在于，所述第一电感、第二电感、第一电容以及第二电容与所述金属走线层同时形成。

5.如权利要求1所述的具有石墨烯晶体管的低噪声放大器，其特征在于，所述栅极介质层为高介电常数材料Al₂O₃、HfO₂或HfSiON。

6.如权利要求1所述的具有石墨烯晶体管的低噪声放大器，其特征在于，所述源极、漏极和栅极在同一平面上。

7.如权利要求1所述的具有石墨烯晶体管的低噪声放大器，其特征在于，所述石墨烯薄膜通过Cu衬底上CVD后化学湿法转移，或者Pt衬底上CVD后电化学法转移形成。

8.如权利要求1所述的具有石墨烯晶体管的低噪声放大器，其特征在于，所述石墨烯晶体管还包括：形成在所述源极和漏极上的欧姆接触。