[发明专利]一种硅基巨磁阻效应微加速度传感器无效

专利信息
申请号: 201210330512.5 申请日: 2012-09-07
公开(公告)号: CN102854339A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 王莉;郑伦贵;李锡广;李孟委;刘俊;崔敏 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: G01P15/105 分类号: G01P15/105
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 030051*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明公开了一种巨磁阻效应微加速度传感器,主要结构包括:键合基板;铁磁性薄膜,铁磁性薄膜设在键合基板上的矩形凹槽,即底槽中;和加速度敏感体,加速度敏感体设在键合基板上方并与键合基板相连接,且加速度敏感体包括:对应设在底槽上方的敏感质量块;敏感质量块上表面设有巨磁敏电阻且巨磁敏电阻与铁磁性薄膜位置对应;敏感质量块四周的悬臂梁,以及悬臂梁外侧的支撑框体。巨磁敏电阻层可随敏感质量块沿垂直于所述铁磁性薄膜上表面的方向振动。根据本发明实施例的微机械加速度传感器采用整体结构设计,结构合理,检测电路简单,使用方便、可靠性好、适合微型化。
搜索关键词: 一种 硅基巨 磁阻 效应 加速度 传感器
【主权项】:
一种微机械加速度传感器,其特性在于,包括:键合基板,键合基板上制作有供敏感质量块运动提供空间的底槽;铁磁性薄膜,铁磁性薄膜设键合基板底槽的中心位置;加速度敏感体,所述的加速度敏感体设在所述的键合基板上方,并且与键合基板粘结牢固,且加速度敏感体包括:敏感质量块,对应设在底槽上方;巨磁敏电阻,设在敏感质量块上表面,且巨磁敏电阻与铁磁性薄膜位置对应;支撑框体,通过悬臂梁与敏感质量块连接,对敏感质量块起支撑作用,巨磁敏电阻可随敏感质量块沿垂直于所述铁磁性薄膜上表面的方向振动。
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