[发明专利]一种超长铜纳米线和铜纳米线导电薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210323822.4 申请日: 2012-09-04
公开(公告)号: CN102787347A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 张蝶青;温美成;王冉冉;孙静;章姗姗;李贵生;李和兴 申请(专利权)人: 上海师范大学
主分类号: C30B7/14 分类号: C30B7/14;C30B29/02;C30B29/62;B22F9/24;B05D1/00
代理公司: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 代理人: 吴瑾瑜
地址: 200234 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种超长铜纳米线的制备方法:(1)将阳离子型表面活性剂在170~190℃条件下溶解于还原性有机溶剂,得到溶液A;所述还原性有机溶剂为长链烷基胺;(2)将铜源完全溶于溶液A中,搅拌得到B;在溶液B加入贵金属纳米颗粒或者镀有贵金属的硅片作为催化剂,在100~200℃条件下反应2~20小时;(3)待反应体系冷却后取出固体用有机溶剂清洗。本方法得到的铜纳米线直径约为40~80nm,长度约为300~1500μm,是沿[011]方向生长的单晶铜纳米线。XRD结果显示。本方法操作简单,合成的超长铜纳米线为单晶结构,且容易分散,制备的导电薄膜具有优异的性能。
搜索关键词: 一种 超长 纳米 导电 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种超长铜纳米线的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将阳离子型表面活性剂在170~190℃条件下溶解于还原性有机溶剂,得到溶液A;所述还原性有机溶剂为长链烷基胺;(2)将铜源完全溶于溶液A中,搅拌得到B;在溶液B加入贵金属纳米颗粒或者镀有贵金属的硅片作为催化剂,在100~200℃条件下反应2~20小时;(3)待反应体系冷却后取出固体用有机溶剂清洗。
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