[发明专利]无定形氧化物和场效应晶体管有效
| 申请号： | 201210322249.5 | 申请日： | 2005-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102938420A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 佐野政史;中川克己;细野秀雄;神谷利夫;野村研二 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/428;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物包含从由Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Ru和F所构成的组中选择的至少一种元素，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 无定形 氧化物 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种无定形氧化物，所述无定形氧化物包含从由Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Ru和F所构成的组中选择的至少一种元素，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3，其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
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