[发明专利]无定形氧化物和场效应晶体管有效
| 申请号： | 201210322249.5 | 申请日： | 2005-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102938420A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 佐野政史;中川克己;细野秀雄;神谷利夫;野村研二 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/428;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无定形 氧化物 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种无定形氧化物，所述无定形氧化物包含从由Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Ru和F所构成的组中选择的至少一种元素，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3，
其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
2.根据权利要求1所述的无定形氧化物，其中，所述无定形氧化物的电子迁移率随着电子载流子浓度的增加而增大。
3.一种场效应晶体管，包括：
由根据权利要求1或2所述的无定形氧化物形成的有源层；以及
形成为经由栅极绝缘体面向所述有源层的栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学，未经佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210322249.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于门致动器的安装布置结构
- 下一篇：药物与蛋白质结合前药的结合体
- 同类专利
- 专利分类
