[发明专利]一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201210320231.1 | 申请日： | 2012-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN103681811A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管，本发明的绝缘栅双极晶体管将器件背面部分区域设置为P+发射区，通过器件导通时电流自动调节P+发射区的开启导通，调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率，提高器件的高频特性应用范围。本发明还提供了一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 完全 发射 绝缘 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括：N型基区，由N+缓冲层和N‑基区叠加组成；P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质，位于N型基区上方；背P+发射区，位于N型基区下方部分区域，同时器件背面N+缓冲层表面为欧姆接触区或肖特基势垒结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朱江，未经朱江许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210320231.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
