[发明专利]一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201210320231.1 | 申请日： | 2012-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN103681811A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 完全 发射 绝缘 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括：
N型基区，由N+缓冲层和N-基区叠加组成；
P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质，位于N型基区上方；
背P+发射区，位于N型基区下方部分区域，同时器件背面N+缓冲层表面为欧姆接触区或肖特基势垒结。
2.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的背P+发射区均匀分布于N型基区的N+缓冲层下方表面内，器件背面的背P+发射区的最大宽度小于等于10um，器件背面表面的N+缓冲层的最大宽度小于等于10um。
3.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的背P+发射区表面的掺杂浓度大于等于1E17cm-3。
4.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的N+缓冲层的厚度5um~30um。
5.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的N+缓冲层的掺杂浓度1E14cm-3~1E17cm-3。
6.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的N+缓冲层的掺杂浓度从下向上逐渐降低。
7.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的N-基区的掺杂浓度为1E13cm-3~1E17cm-3。
8.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的栅氧化层和栅极介质可以位于器件表面，为平面结构。
9.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的栅氧化层和栅极介质可以位于器件沟槽内，为沟槽结构。
10.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1）对N型片进行双面N型杂质扩散；
2）通过减薄抛光去除上表面N型杂质扩散层和去除下表面部分N型杂质扩散层：
3）在上表面形成P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质；
4）在下表面通过掩膜注入P型杂质，然后退火形成背P+发射区。
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