[发明专利]具有改进的硅化物厚度均匀性的金属氧化物半导体场效应晶体管集成电路和其制造方法

摘要

本发明涉及具有改进的硅化物厚度均匀性的金属氧化物半导体场效应晶体管集成电路和其制造方法，提供一种具有均匀厚度且实质上无“点状”NiSi型的孔的硅化物层的MOSF ET器件，和用于其制造的方法。一种这样的方法涉及同时在半导体基板的主动和开放区域上方沉积一金属层，例如镍。通过热预算决定金属的部分或全部转移至基板中的深度。采用快速热退火过程以在主动和开放区域两者中都产生均匀厚度的NiSi层。一旦得到所需厚度的NiSi层，从基板表面移除多余金属。

主权项

一种在具有主动区和开放区的硅基板上制造集成电路器件的方法，包括：在所述开放区和所述主动区上方沉积金属层；转移所述金属层的至少一部分进入到所述开放区和所述主动区的个别表面内以在所述主动和所述开放区中产生硅化物层；通过暴露所述基板于预定的升高温度一段预定的时间来控制所述硅化物层的穿透深度于均匀的厚度，留下一些多余金属在至少所述开放区的所述表面上；以及从所述开放区的所述表面移除所述多余金属。