[发明专利]射频LDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种射频LDMOS器件，包括金属塞和位于漏极区域的顶层金属下方的厚度较厚的场氧层。金属塞具有较小的电阻，故能减少器件的寄生电阻，较厚的场氧层能够减少器件的寄生电容，从而能提高器件的频率特性。同时金属塞还具有不横向扩散的特性，故还能减少器件的面积；场氧层的厚度增加也能相对减少层间膜的厚度，从而减少金属层的层数，最后能降低器件成本。本发明还公开了一种射频LDMOS器件的制造方法。

主权项

一种射频LDMOS器件，其特征在于，射频LDMOS器件的单元结构包括：P+硅衬底以及形成于所述P+硅衬底上方的P‑外延层；沟道区，由形成于所述P‑外延层中的P阱组成；源区，由形成于所述P阱中的N+掺杂区组成；漂移区，由形成于所述P‑外延层中的N‑掺杂区组成，所述漂移区和所述沟道区相邻接；漏区，由形成于所述漂移区中N+掺杂区组成，所述漏区和所述沟道区相隔一横向距离；栅极多晶硅，由形成于所述沟道区上方的多晶硅组成，所述栅极多晶硅和所述沟道区之间隔离有栅极氧化层；所述栅极多晶硅的一侧和所述源区自对准，所述栅极多晶硅的另一侧边缘大于等于所述沟道区和所述漂移区的相接边缘；金属塞，由填充于第一沟槽中的金属组成，所述金属塞穿过所述P阱和所述P‑外延层并且所述金属塞的底部进入到所述P+硅衬底中，所述金属塞实现所述P阱和所述P+硅衬底的电连接；所述漏区顶部形成有穿过第一层金属前介质膜的接触孔，该接触孔实现所述漏区和第一层金属的连接，在所述第一层金属上形成有一层以上的金属层，各上下相邻的金属层之间隔离有金属层间介质膜并通过穿过金属层间介质层的通孔实现连接，顶层金属光刻刻蚀后形成顶层金属图形，通过各金属层和所述漏区相连的顶层金属图形为漏极；在所述漏极的至少部分区域的正下方的所述P‑外延层中形成有场氧层，或者场氧层加高阻区；当在所述漏极的至少部分区域的正下方的所述P‑外延层中仅形成有所述场氧层时，所述场氧层的厚度为3微米以上；当在所述漏极的至少部分区域的正下方的所述P‑外延层中形成有所述场氧层加所述高阻区时，所述场氧层的厚度为1.0微米以上，所述高阻区的电阻大于所述P‑外延层电阻、所述高阻区位于所述场氧层底部且和所述场氧层相接触。