[发明专利]高工作温度的光伏型量子阱红外探测器无效
申请号: | 201210313538.9 | 申请日: | 2012-08-29 |
公开(公告)号: | CN103296125A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 刘惠春 | 申请(专利权)人: | 刘惠春 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0352 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 吕振萱 |
地址: | 江苏省无锡市滨湖*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种高工作温度的光伏型量子阱红外探测器,利用分子束外延或者金属有机化学气相沉积技术生长,通过标准的半导体工艺制备,具备半导体多层量子阱结构,功能层为非对称结构的多周期量子阱。可以在不加偏压或微小偏压情况下工作,具备暗电流低、工作温度高(室温或者准室温工作)、探测灵敏度高等突出优点。 | ||
搜索关键词: | 工作温度 光伏型 量子 红外探测器 | ||
【主权项】:
一种高工作温度的光伏型量子阱红外探测器,其特征在于,包括一个具有多层非对称半导体量子阱结构的功能层,利用所述量子阱结构中电子或者空穴子能级跃迁实现红外光探测,从而实现在不加偏压或者施加微小偏压的情况下工作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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