[发明专利]稀土离子Dy3+掺杂的Bi4Si3O12白光LED荧光粉材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210312795.0 申请日: 2012-08-29
公开(公告)号: CN102899043A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 刘茜;魏钦华;刘光辉;周真真 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C09K11/74 分类号: C09K11/74
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭辉
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种稀土离子镝(Dy3+)掺杂的硅酸铋(Bi4Si3O12)白光LED荧光粉材料及其制备方法,所述荧光粉材料的制备过程包括:首先将构成硅酸铋的前驱体原料和掺杂原料按配比溶于醇水混合溶剂中,搅拌、干燥后,先在空气气氛下400~800℃进行预烧,冷却后取出研磨,然后进行750-900℃煅烧;最后随炉冷却至室温。本发明的荧光粉在紫外光(波长270nm)激发下发射白光,系属硅酸铋的本征蓝光和Dy3+特征蓝光和黄光叠加而成,发射峰位分别位于460nm,485nm和575nm,色坐标位于白光区域。本发明的荧光粉材料可满足白光LED照明领域的应用要求。
搜索关键词: 稀土 离子 dy sup 掺杂 bi sub si 12 白光 led 荧光粉 材料 及其 制备
【主权项】:
一种稀土离子Dy3+掺杂的Bi4Si3O12白光LED荧光粉材料,所述荧光粉材料是掺杂稀土Dy3+离子的硅酸铋(Bi4Si3O12)基材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210312795.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top