[发明专利]稀土离子Dy3+掺杂的Bi4Si3O12白光LED荧光粉材料及其制备方法

权利要求书

1.一种稀土离子Dy³⁺掺杂的Bi₄Si₃O₁₂白光LED荧光粉材料，所述荧光粉材料是掺杂稀土Dy³⁺离子的硅酸铋（Bi₄Si₃O₁₂）基材料。

2.根据权利要求1所述的白光LED荧光粉材料，其特征在于：所述稀土离子Dy³⁺部分代替Bi³⁺，所述Dy³⁺的掺杂量在所述粉体材料中占1～9mol%。

3.根据权利要求2所述的白光LED荧光粉材料，其特征在于：所述荧光粉体由氧化铋(Bi₂O₃)、二氧化硅(SiO₂)和氧化镝(Dy₂O₃)制成，其中，各组分的质量百分比如下：

Bi₂O₃                            77.7～83.13%；

SiO₂                             16.2%；

Dy₂O₃                            0.67～6.1%；

各组成的质量百分比之和为100%。

4.一种制备权利要求1-3任一项所述白光LED荧光粉材料的制备方法，所述方法包括：

将构成硅酸铋（Bi₄Si₃O₁₂）的前驱体原料和掺杂原料按配比溶于醇水混合溶剂中，搅拌，干燥；

在空气气氛下于400～800℃的预烧温度下进行预烧，冷却取出研磨；

在空气气氛下于750～900℃的煅烧温度下进行煅烧，然后随炉冷却到室温，并研磨成荧光粉材料。

5.根据权利要求4所述的白光LED荧光粉材料的制备方法，其特征在于：构成硅酸铋（Bi₄Si₃O₁₂）的前驱体原料为硝酸铋和正硅酸乙酯，所述掺杂原料为硝酸镝。

6.根据权利要求4所述的白光LED荧光粉材料的制备方法，其特征在于：所述醇水混合溶剂由去离子水与无水乙醇按质量比为(4～6):2组成。

7.根据权利要求4所述的白光LED荧光粉材料的制备方法，其特征在于：构成硅酸铋（Bi₄Si₃O₁₂）的前驱体原料和掺杂原料的总质量与醇水混合溶剂的质量之比为6:（10～14)。

8.根据权利要求4所述的白光LED荧光粉材料的制备方法，其特征在于：所述干燥是指在烘箱中60～90℃下烘烤18～24小时。

9.根据权利要求4所述的白光LED荧光粉材料的制备方法，其特征在于：按每小时150～200℃的升温速率升温到预烧温度，预烧时间为1～3小时。

10.根据权利要求4所述的白光LED荧光粉材料的制备方法，其特征在于：按每小时150～200℃的升温速率升温到煅烧温度，煅烧时间为3～5小时。