[发明专利]一种α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法有效

专利信息
申请号: 201210312074.X 申请日: 2012-08-29
公开(公告)号: CN102897722A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 施伟东;刘裴;范伟强;于帅 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于环境友好型纳米材料技术领域,涉及纳米材料的制备方法,尤其是涉及一种α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法。本发明提供了一种α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法,是以油酸为溶剂,抗坏血酸为还原剂,将硝酸铟、硒粉在反应釜中进行溶剂热合成反应,然后用无水乙醇洗涤,并离心分离干燥后制得。从生长机理上推断,该方法能适用于其他硒金属化合物纳米材料的制备。本发明的制备方法简单、成本低廉、可控性强、产物结晶性好、绿色环保;从对其低倍扫描电镜图(SEM)、高倍扫描电镜图(SEM)以及透射电镜图(TEM)的分析,制得的α-In2Se3纳米花球直径在1~2微米,是由厚度为13~15纳米的纳米片所组成的。
搜索关键词: 一种 in sub se 纳米 溶剂 合成 方法
【主权项】:
一种α‑In2Se3纳米花球溶剂热合成方法,是以油酸为溶剂,抗坏血酸为还原剂,将硝酸铟、硒粉在反应釜中溶剂热合成反应,然后用无水乙醇洗涤,并离心分离干燥后制得。
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