[发明专利]一种α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法有效
| 申请号: | 201210312074.X | 申请日: | 2012-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN102897722A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
| 发明(设计)人: | 施伟东;刘裴;范伟强;于帅 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
| 主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
| 地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 in sub se 纳米 溶剂 合成 方法 | ||
1.一种α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法,是以油酸为溶剂,抗坏血酸为还原剂,将硝酸铟、硒粉在反应釜中溶剂热合成反应,然后用无水乙醇洗涤,并离心分离干燥后制得。
2.根据权利要求1所述的α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法,其特征在于,所述的溶剂热合成反应包括如下步骤:
步骤A、称取一定量的硝酸铟、硒粉、抗坏血酸于反应釜中混合,其中,所述的硝酸铟、硒粉、抗坏血酸的摩尔比为3:1:1~2;
步骤B、加入油酸搅拌30min,其中所述油酸的体积占反应釜的60%~80%;
步骤C、将反应釜于190℃~220℃下反应12h~24h,然后冷却至室温。
3.根据权利要求2所述的α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法,其特征在于,所述的硝酸铟、硒粉、抗坏血酸的摩尔比为3:1:1;
所述油酸的体积占反应釜的80%;
所述的反应釜于200℃下反应24h。
4.根据权利要求1所述的方法制备而成的α-In2Se3纳米花球。
5.根据权利要求4所述的α-In2Se3纳米花球,其特征在于所述的花球直径在1~2微米。
6.根据权利要求4所述的α-In2Se3纳米花球,其特征在于所述的花球是由厚度为13~15nm的纳米片所组成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏大学,未经江苏大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210312074.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法





