[发明专利]一种α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法有效

专利信息
申请号: 201210312074.X 申请日: 2012-08-29
公开(公告)号: CN102897722A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 施伟东;刘裴;范伟强;于帅 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 in sub se 纳米 溶剂 合成 方法
【权利要求书】:

1.一种α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法,是以油酸为溶剂,抗坏血酸为还原剂,将硝酸铟、硒粉在反应釜中溶剂热合成反应,然后用无水乙醇洗涤,并离心分离干燥后制得。

2.根据权利要求1所述的α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法,其特征在于,所述的溶剂热合成反应包括如下步骤:

步骤A、称取一定量的硝酸铟、硒粉、抗坏血酸于反应釜中混合,其中,所述的硝酸铟、硒粉、抗坏血酸的摩尔比为3:1:1~2;

步骤B、加入油酸搅拌30min,其中所述油酸的体积占反应釜的60%~80%;

步骤C、将反应釜于190℃~220℃下反应12h~24h,然后冷却至室温。

3.根据权利要求2所述的α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法,其特征在于,所述的硝酸铟、硒粉、抗坏血酸的摩尔比为3:1:1;

所述油酸的体积占反应釜的80%;

所述的反应釜于200℃下反应24h。

4.根据权利要求1所述的方法制备而成的α-In2Se3纳米花球。

5.根据权利要求4所述的α-In2Se3纳米花球,其特征在于所述的花球直径在1~2微米。

6.根据权利要求4所述的α-In2Se3纳米花球,其特征在于所述的花球是由厚度为13~15nm的纳米片所组成。

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