[发明专利]一种二硫化钼纳米片薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210311761.X | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102849798A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 孙晓明;陆之毅;于晓游;朱炜 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y30/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 何俊玲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硫化钼纳米片薄膜材料及其制备方法，该薄膜材料是MoS2纳米片竖立有序地生长在导电基底上，MoS2纳米片的直径为0.05-2μm，纳米片的厚度为2-30nm。其制备方法有两种，一种是以铜片、银片、钛片、钨片、钼片和碳为基底，将基底置于钼酸盐在含硫化合物（包括硫脲，硫代乙酰胺，L-半胱氨酸）溶液中进行水热反应，在基底上生长致密、均匀有序的MoS2纳米片状薄膜。另一种方法是将钼片直接置入含硫化合物（包括硫脲，硫代乙酰胺，L-半胱氨酸）溶液中，在水热条件下发生硫化反应，在钼基底上形成致密均匀的MoS2纳米片有序薄膜。该薄膜具有较低的析氢过电位（-30mv），塔菲尔斜率小（52mV/dec），有较高的电化学稳定性，是一种极具应用前景的析氢电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 纳米 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二硫化钼纳米片薄膜材料，是MoS2纳米片竖立有序地生长在基底上，MoS2纳米片的直径为0.05‑2μm，纳米片的厚度为2‑30 nm。
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