[发明专利]一种二硫化钼纳米片薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种二硫化钼纳米片薄膜材料，是MoS₂纳米片竖立有序地生长在基底上，MoS₂纳米片的直径为0.05-2μm，纳米片的厚度为2-30 nm。

2.一种制备权利要求1所述的二硫化钼纳米片薄膜材料的方法，具体步骤如下：

将可溶性钼酸盐和含硫化合物溶解于去离子水中，充分搅拌至澄清溶液，得到钼酸盐浓度为0.01-1.0 mol/L，含硫化合物溶液的浓度为0.01-1.0 mol/L的混合溶液；将该混合溶液加入反应器中，将处理过的基底斜置放入反应器中，于150-220 ℃进行水热反应3-72 h，后用冷却水冷却至室温；取出，分别用水、乙醇冲洗，再分别用水和乙醇超声清洗，烘干，得到基底上生长的MoS₂纳米片薄膜；

所述的可溶性钼酸盐是(NH₄)₆Mo₇O₂₄·4H₂O，Na₂MoO₄·2H₂O及H₂MoO₄；

所述含硫化合物包括硫脲，硫代乙酰胺，L-半胱氨酸；

所述基底是铜片、银片、钛片、钨片、钼片和碳基底等；基底在使用前要先经过超声清洗，具体方法是将其放入浓盐酸中超声洗涤，然后转移至去离子水和乙醇中，分别超声洗涤；以去除表面杂质。

3.一种制备权利要求1所述的二硫化钼纳米片薄膜材料的方法，具体步骤如下：

将处理过的钼片斜置放入反应釜中，再将浓度为0.01-1.0 mol/L的含硫化合物溶液加入反应器中进行水热反应，水热反应温度为150-220℃，反应时间为3-72 h，反应结束后用冷却水冷却至室温；取出，分别用水、乙醇冲洗，再分别用水和乙醇超声清洗，烘干，得到钼片上生长的MoS₂纳米片薄膜；

所述含硫化合物包括硫脲，硫代乙酰胺，L-半胱氨酸；

所用钼片在使用前要先经过超声清洗，清洗方法同权利要求2。