[发明专利]电阻率梯度分布的外延片及其生产方法在审
| 申请号： | 201210311196.7 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103633120A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 姚桢;钟旻远;林志鑫 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明公开了一种电阻率梯度分布的外延片，包括外延层，其特征在于，所述外延层电阻率梯度分布。本发明中的电阻率梯度分布的外延片，沿厚度方向的电流受梯度电阻的影响而梯度分布的电阻会沿着电流方向慢慢增大，能有效防止崩溃。其能更好地承受反向偏压的冲击，在大功率器件上能够更好地体现这种优点。相对于电阻率不变的外延层，本发明中的外延片可将崩溃电压提高50V以上。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 梯度 分布 外延 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
电阻率梯度分布的外延片，包括外延层，其特征在于，所述外延层电阻率梯度分布。
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