[发明专利]沟槽型双层栅MOS的多晶硅间的热氧介质层的形成方法

摘要

发明公开了一种沟槽型双层栅MOS的多晶硅间的热氧介质层的形成方法，包括步骤：1）生长第一氮化膜；2）沟槽刻蚀；3）生长介质层；4）生长第一层多晶硅；5）第一层多晶硅第一步反刻蚀；6)第一层多晶硅光刻及第二步反刻蚀，并去除第一层多晶硅上方的沟槽侧壁介质层；7）淀积第二氮化膜后，刻蚀，露出第一层多晶硅；8）生长热氧介质层；9）去除氮化膜；10）栅极氧化层生长；11）第二层多晶硅淀积与反刻蚀；12）形成基极和源极；13）形成接触孔、金属和钝化层。本发明可解决了两层多晶硅之间介质层厚度难以控制的问题，提高MOS器件性能的稳定性；同时，能避免因为多晶硅尖的两头产生的强电场削弱栅源击穿电压。

主权项

一种沟槽型双层栅MOS中的多晶硅之间的热氧介质层的形成方法，其特征在于，包括步骤：1）在硅基板上，生长第一氮化膜；2）在硅基板上，进行沟槽刻蚀；3）在沟槽内，生长介质层；4）在介质层上，生长第一层多晶硅；5）对第一层多晶硅进行第一步反刻蚀；6）对第一层多晶硅进行光刻及第二步反刻蚀，并去除第一层多晶硅上方的沟槽侧壁介质层；7）在沟槽的底部和侧壁以及硅基板表面淀积第二氮化膜后，刻蚀去除沟槽底部的第二氮化膜，露出第一层多晶硅；8）在第一层多晶硅上，生长热氧介质层；9）去除沟槽侧壁的第二氮化膜和硅基板表面的第一、二氮化膜；10）栅极氧化层生长；11）第二层多晶硅淀积与反刻蚀；12）形成基极和源极；13）形成接触孔、金属和钝化层。