[发明专利]一种制备ZnO纳米结构的电沉积方法有效
申请号: | 201210309019.5 | 申请日: | 2012-08-27 |
公开(公告)号: | CN103628107A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 陈颉;汤洋 | 申请(专利权)人: | 北京低碳清洁能源研究所 |
主分类号: | C25D9/08 | 分类号: | C25D9/08 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 彭飞;林柏楠 |
地址: | 102209 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 发明公开了一种制备ZnO纳米结构的方法,该方法采用由Zn(NO3)2和NH4NO3制成的电解质水溶液电沉积制备ZnO纳米结构,其中NH4NO3与Zn(NO3)2的摩尔浓度比大于4:1。通过本发明所述方法制备的ZnO纳米结构不但生长速率更快、内量子效率更高,而且结构更为均匀。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 zno 纳米 结构 沉积 方法 | ||
【主权项】:
一种制备ZnO纳米结构的方法,该方法采用由Zn(NO3)2和NH4NO3制成的水溶液经电沉积制备ZnO纳米结构,其特征在于,在所述由Zn(NO3)2和NH4NO3制成的水溶液中,NH4NO3与Zn(NO3)2的摩尔浓度比大于4:1。
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