[发明专利]一种提高激光划刻透明导电氧化物薄膜绝缘性能的方法在审

专利信息
申请号: 201210308502.1 申请日: 2012-08-28
公开(公告)号: CN102820380A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 冯燕;贾海军;贺天太;潘清涛;刘佳;张丽;宋鑫;麦耀华 申请(专利权)人: 保定天威薄膜光伏有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 代理人: 董金国
地址: 071051 河北省保定市*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明涉及一种提高激光划刻透明导电氧化物薄膜绝缘性能的方法,属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明包括如下工艺步骤:(1)利用磁控溅射配合湿法刻蚀的技术制备绒面透明导电氧化物薄膜;(2)采用波长为355nm的激光器对绒面透明导电氧化物薄膜进行绝缘划线;(3)将经过激光划线的绒面透明导电氧化物薄膜进行退火处理,获得具有优良绝缘性能的激光划线。本方法与现有的薄膜太阳能电池的生产工艺兼容,采用薄膜太阳能电池生产线常用的355nm激光器可成功划刻氧化物薄膜,提升划刻质量,降低生产成本;激光划刻形貌好,绝缘性能符合生产工艺需求;工艺操作简单;本发明适用于硅基系列薄膜电池、碲化镉系列薄膜电池等。
搜索关键词: 一种 提高 激光 透明 导电 氧化物 薄膜 绝缘 性能 方法
【主权项】:
一种提高激光划刻透明导电氧化物薄膜绝缘性能的方法,其特征在于包括以下步骤:利用磁控溅射配合湿法刻蚀的技术制备绒面透明导电氧化物薄膜;采用波长为355nm或1064nm的激光器对所述绒面透明导电氧化物薄膜进行绝缘划线;将经过激光划线的绒面透明导电氧化物薄膜进行退火处理即可。
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