[发明专利]一种提高激光划刻透明导电氧化物薄膜绝缘性能的方法在审
申请号: | 201210308502.1 | 申请日: | 2012-08-28 |
公开(公告)号: | CN102820380A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 冯燕;贾海军;贺天太;潘清涛;刘佳;张丽;宋鑫;麦耀华 | 申请(专利权)人: | 保定天威薄膜光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 | 代理人: | 董金国 |
地址: | 071051 河北省保定市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高激光划刻透明导电氧化物薄膜绝缘性能的方法,属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明包括如下工艺步骤:(1)利用磁控溅射配合湿法刻蚀的技术制备绒面透明导电氧化物薄膜;(2)采用波长为355nm的激光器对绒面透明导电氧化物薄膜进行绝缘划线;(3)将经过激光划线的绒面透明导电氧化物薄膜进行退火处理,获得具有优良绝缘性能的激光划线。本方法与现有的薄膜太阳能电池的生产工艺兼容,采用薄膜太阳能电池生产线常用的355nm激光器可成功划刻氧化物薄膜,提升划刻质量,降低生产成本;激光划刻形貌好,绝缘性能符合生产工艺需求;工艺操作简单;本发明适用于硅基系列薄膜电池、碲化镉系列薄膜电池等。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 激光 透明 导电 氧化物 薄膜 绝缘 性能 方法 | ||
【主权项】:
一种提高激光划刻透明导电氧化物薄膜绝缘性能的方法,其特征在于包括以下步骤:利用磁控溅射配合湿法刻蚀的技术制备绒面透明导电氧化物薄膜;采用波长为355nm或1064nm的激光器对所述绒面透明导电氧化物薄膜进行绝缘划线;将经过激光划线的绒面透明导电氧化物薄膜进行退火处理即可。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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