[发明专利]一种用于在CVD反应腔体中校准硅片位置的方法

摘要

发明公开了一种用于在CVD反应腔体中校准硅片位置的方法，该方法包括：从原点沿第一方向移动硅片，当检测到该硅片的背压大于预定值时，停止移动，并将该移动的距离记录为第一移动距离；将硅片移动回该原点，从该原点沿与第一方向相反的第二方向移动硅片，当检测到该硅片的背压大于该预定值时，停止移动，并将该移动的距离记录为第二移动距离；计算该第一移动距离和该第二移动距离的平均值，即纵向距离平均值；根据该纵向距离平均值确定所述硅片沿相对于CVD反应腔体向内的方向的位置，其中，第一方向和第二方向分别为相对于CVD反应腔体向内的方向和向外的方向中的一个。此校准硅片位置的方法大大简化了调整工序，提高了工作效率。

主权项

一种用于在CVD反应腔体中校准硅片位置的方法，其特征在于，包括：从原点沿第一方向移动硅片，当检测到所述硅片的背压大于预定值时，停止所述移动，并将所述移动的距离记录为第一移动距离；将所述硅片移动回所述原点，从所述原点沿与所述第一方向相反的第二方向移动硅片，当检测到所述硅片的背压大于所述预定值时，停止所述移动，并将所述移动的距离记录为第二移动距离；计算所述第一移动距离和所述第二移动距离的平均值，即纵向距离平均值；根据所述纵向距离平均值确定所述硅片沿相对于CVD反应腔体向内的方向的位置，其中，所述第一方向和所述第二方向分别为相对于CVD反应腔体向内的方向和向外的方向中的一个。